Infineon IQE050N08NM5ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 101 A, 8-Pin PQFN 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 240-6635
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE050N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | 1,206 € | 6.030,00 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 240-6635
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE050N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon OptiMOSTM 5 80 V PQFN 3,3x3,3 Source-Down bietet 80 V und einen niedrigen RDS(on) von 5,0 mOhm. Er bietet mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere thermische Leistungsfähigkeit, eine höhere Leistungsdichte oder verbesserte Layout-Möglichkeiten. Darüber hinaus sind die höhere Effizienz, der geringere Bedarf an aktiver Kühlung und das effektive Layout für das Wärmemanagement Vorteile auf Systemebene.
Verbesserte PCB-Verluste
Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung
Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 101 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
| Gehäusegröße | PQFN 3 x 3 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
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