Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 253 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 240-6636
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE050N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IQE050N08NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 253A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | IQE | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.85mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.73V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 253A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie IQE | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.85mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.73V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOSTM 5 80 V PQFN 3,3x3,3 Source-Down bietet 80 V und einen niedrigen RDS(on) von 5,0 mOhm. Er bietet mehrere Vorteile, wie z. B. eine höhere thermische Leistungsfähigkeit, eine höhere Leistungsdichte oder verbesserte Layout-Möglichkeiten. Darüber hinaus sind die höhere Effizienz, der geringere Bedarf an aktiver Kühlung und das effektive Layout für das Wärmemanagement Vorteile auf Systemebene.
Verbesserte PCB-Verluste
Ermöglicht höchste Leistungsdichte und Leistung