Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN

RS Best.-Nr.:: 241-9702
Herst. Teile-Nr.:: BSZ024N04LS6ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN

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RS Best.-Nr.:: 241-9702
Herst. Teile-Nr.:: BSZ024N04LS6ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	212A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	PQFN
	Serie	BSZ
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße PQFN
	Serie BSZ
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSZ024N04LS6ATMA1

MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 212 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ024N04LS6ATMA1

Dieser MOSFET ist ein siliziumbasiertes N-Kanal-Schaltgerät, das für Hochstromanwendungen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und eine robuste Gate-Handhabung erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 0,7 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für einen hocheffizienten Betrieb
• 212 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Niederspannungsstufen
• 81 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen bei hoher Last
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• 20 V Gate-Source-Grenzwert bietet definierte Gate-Schutzmarge

Anwendungsbereich

• Geeignet für Motortreiberstufen, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Ideal für primäre oder synchrone Stufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Leistungselektronik in industriellen Antriebssystemen
• Kann für Hochstromschaltungen im Batteriemanagement verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen, die kompakte PQFN-Gehäuse benötigen

Welcher Gehäusetyp wird für die thermische und Leiterplattenmontage verwendet?

Er wird in einem PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage und Wärmeübertragung optimiert ist.

Welchem Umgebungstemperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?

Es funktioniert bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C für einen breiten Einsatzbereich.

Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen an die Gate-Ansteuerung?

Das Gate erfordert einen Antrieb, der mit einer typischen Gate-Ladung von 80 nC kompatibel ist und eine Grenze von 20 V Vgs nicht überschreiten darf.

Entspricht das Gerät den gängigen Richtlinien für elektronische Materialien?

Er entspricht den RoHS-Anforderungen, die bestimmte gefährliche Stoffe einschränken.

Wie viele elektrische Anschlüsse bietet das Gehäuse für das Leiterplatten-Layout?

Das Gerät wird mit einer 8-poligen Konfiguration für Routing- und Thermo-Land-Design geliefert.