Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 241-9703
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ024N04LS6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSZ-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 212 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ024N04LS6ATMA1
Dieser MOSFET ist ein siliziumbasiertes N-Kanal-Schaltgerät, das für Hochstromanwendungen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen geringe Leitungsverluste und eine robuste Gate-Handhabung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 0,7 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für einen hocheffizienten Betrieb
• 212 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Niederspannungsstufen
• 81 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen bei hoher Last
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• 20 V Gate-Source-Grenzwert bietet definierte Gate-Schutzmarge
• 212 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Die Nennleistung von 40 V Drain-Source ermöglicht Niederspannungsstufen
• 81 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen bei hoher Last
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC gleicht die Schaltgeschwindigkeit und den Antriebsaufwand aus
• 20 V Gate-Source-Grenzwert bietet definierte Gate-Schutzmarge
Anwendungsbereich
• Geeignet für Motortreiberstufen, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Ideal für primäre oder synchrone Stufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Leistungselektronik in industriellen Antriebssystemen
• Kann für Hochstromschaltungen im Batteriemanagement verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen, die kompakte PQFN-Gehäuse benötigen
• Ideal für primäre oder synchrone Stufen von DC/DC-Wandlern
• Einsatz mit Leistungselektronik in industriellen Antriebssystemen
• Kann für Hochstromschaltungen im Batteriemanagement verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen, die kompakte PQFN-Gehäuse benötigen
Welcher Gehäusetyp wird für die thermische und Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem PQFN-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage und Wärmeübertragung optimiert ist.
Welchem Umgebungstemperaturbereich kann er während des Betriebs standhalten?
Es funktioniert bei Temperaturen von -55 °C bis 175 °C für einen breiten Einsatzbereich.
Wie erfüllt das Gerät die Anforderungen an die Gate-Ansteuerung?
Das Gate erfordert einen Antrieb, der mit einer typischen Gate-Ladung von 80 nC kompatibel ist und eine Grenze von 20 V Vgs nicht überschreiten darf.
Entspricht das Gerät den gängigen Richtlinien für elektronische Materialien?
Er entspricht den RoHS-Anforderungen, die bestimmte gefährliche Stoffe einschränken.
Wie viele elektrische Anschlüsse bietet das Gehäuse für das Leiterplatten-Layout?
Das Gerät wird mit einer 8-poligen Konfiguration für Routing- und Thermo-Land-Design geliefert.
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