Infineon BSC0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 381 A 81 W, 8-Pin TDSON

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Hochstrom-Leistungstransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen effiziente Schaltleistung und thermische Beständigkeit in anspruchsvollen Temperaturbereichen erforderlich sind. Er arbeitet als logikkompatibler Schalter für Leistungsstufen und liefert eine beträchtliche Dauerstromkapazität, während er sich gleichzeitig für kompakte Leiterplatten-Layouts und Baugruppen eignet, die einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und kontrollierte Gate-Treiber-Eigenschaften erfordern.

• 60 V Ablassspannungsgrenzwerte ermöglichen eine robuste Schaltung bei mittlerer Spannung
• Der 381A-Dauerstrom sorgt für eine hohe Dauerbelastbarkeit
• 0,7 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei schweren Lasten
• 81 W Verlustleistung ermöglichen erhebliche thermische Reichweite
• 80 nC typische Gate-Ladung unterstützt schnelleres Schalten bei moderatem Antrieb
• Die Durchlassdiodenspannung von 1,2 V minimiert die Erholungsbelastung während der Kommutierung

• Geeignet für Hochstrom-Motortreiberstufen auf kompakten Boards
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Leistungswandlern
• Wird mit Batteriemanagementsystemen verwendet, die einen geringen Leitungsverlust erfordern
• Kann für Schaltstufen in DC/DC-Stromversorgungsmodulen verwendet werden
• Geeignet für industrielle Antriebe, die über breite Temperaturen betrieben werden

Ein Gate-Antrieb bis zu maximal 20 V Vgs ist zulässig, aber typische Antriebe mit Logikpegel sollten bei der Dimensionierung des Treibers, um die gewünschten Übergangsgeschwindigkeiten zu erreichen, die Gate-Ladung von 80 nC berücksichtigen.

Mit einer maximalen Verlustleistung von 81 W sollte das Board-Design eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitwege bieten, um die Wärme aus dem TDSON-Gehäuse für einen dauerhaften Hochstrombetrieb zu leiten.

Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis +150 °C und unterstützt Designs, die extremen Temperaturen ausgesetzt sind.

Die 1,2-V-Forward-Diode-Charakteristik reduziert die Spitzen-Rückwärtsspannung bei Moduswechseln, was sich auf die Anforderungen an Dämpfer und Klemmen auswirkt.