Nexperia, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 10.3 A 81 W TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 243-4620
- Herst. Teile-Nr.:
- GAN041-650WSBQ
- Marke:
- Nexperia
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- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Galliumnitrid (GaN) FET von Nexperia in einem TO-247-Gehäuse ist ein selbstsperrendes Bauteil, das die neueste Hochspannungs-GaN-HEMT-H2-Technologie von Nexperia und die Niederspannungs-Silizium-MOSFET-Technologien kombiniert, die überlegene Zuverlässigkeit und Leistung bieten.
Extrem niedrige umgekehrte Erholungsladung
Einfacher Gate-Antrieb (0 V bis +10 V oder 12 V)
Robustes Gate-Oxid (±20 V Kapazität)
Hohe Gate-Schwellenspannung (+4 V) für sehr gute Gate-Bounce-Immunität
Sehr niedrige Source-Drain-Spannung im umgekehrten
Leitungsmodus
Hart- und weichschaltende Konverter für Industrie- und Datenkommunikationsleistung
Bridgeless totempole PFC
PV- und USV-Wechselrichter
Servomotorische Antriebe