onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 248-5819
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL060N065SC1
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 650 V und einer Verlustleistung von 176 W. Das TO247-3L-Gehäuse dieses Bauelements ist halidfrei und RoHS-konform (Ausnahme 7a, Pb-Free 2LI).
Extrem niedrige Gate-Ladung 74 nC
Niedrige Kapazität 133 pF
100 Prozent Avalanche-getestet
Temperatur 175 °C
RDS(on) 44 mohm
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