Wolfspeed N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 64 A, 7-Pin TO-263-7
- RS Best.-Nr.:
- 248-8928
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0040120J1
- Marke:
- Wolfspeed
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- RS Best.-Nr.:
- 248-8928
- Herst. Teile-Nr.:
- C3M0040120J1
- Marke:
- Wolfspeed
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Wolfspeed | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 64 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Gehäusegröße | TO-263-7 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Wolfspeed | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 64 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Gehäusegröße TO-263-7 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Wolfspeeds Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET C3MTM MOSFET-Technologie bietet den N-Kanal-Enhancement-Modus. Wolfspeeds Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs sind eine Reihe von SiC-MOSFETs der zweiten Generation von Crees Leistungsabteilung Wolfspeed, die eine branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bieten. Diese Geräte mit geringer Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und haben einen geringeren Kühlungsbedarf, was die Betriebseffizienz des Gesamtsystems verbessert
siC-MOSFET-Technologie der 3. Generation
Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiber-Source-Pin
Hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit mit geringen Kapazitäten
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtserholung (Qrr)
Halogenfrei, RoHS-konform
Gehäuse mit niedriger Impedanz und Treiber-Source-Pin
Hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit mit geringen Kapazitäten
Schnelle intrinsische Diode mit niedriger Rückwärtserholung (Qrr)
Halogenfrei, RoHS-konform
