Infineon IMBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 18 A 81 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
249-6951
Herst. Teile-Nr.:
IMBG120R140M1HXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

IMBG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Siliziumkarbid-MOSFET von Infineon reduziert die Systemkomplexität. Er wird direkt vom Fly-Back-Controller gesteuert. Verbesserung der Effizienz und Verringerung des Kühlungsaufwands. Ermöglicht eine höhere Frequenz.

Sehr niedrige Schaltverluste

Kurzschlusswiderstandszeit 3 μs

Vollständig steuerbare dV/dt

Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4.5V

Robust gegen parasitäres Einschalten, 0 V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden

0 V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden

XT-Verbindungstechnologie für branchenweit beste thermische Leistung

Kriech- und Luftstrecke im Gehäuse> 6,1 mm

Sense-Pin für optimierte Schaltleistung

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