Infineon IMBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 1200 V / 18 A 81 W, 7-Pin IMBG120R140M1HXTMA1 TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 249-6952
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG120R140M1HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
5,07 €
(ohne MwSt.)
6,03 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 946 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | 5,07 € |
| 5 - 9 | 4,82 € |
| 10 - 24 | 4,61 € |
| 25 - 49 | 4,41 € |
| 50 + | 4,10 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-6952
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG120R140M1HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | IMBG | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie IMBG | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Siliziumkarbid-MOSFET von Infineon reduziert die Systemkomplexität. Er wird direkt vom Fly-Back-Controller gesteuert. Verbesserung der Effizienz und Verringerung des Kühlungsaufwands. Ermöglicht eine höhere Frequenz.
Sehr niedrige Schaltverluste
Kurzschlusswiderstandszeit 3 μs
Vollständig steuerbare dV/dt
Benchmark-Gate-Schwellenspannung, VGS(th) = 4.5V
Robust gegen parasitäres Einschalten, 0 V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden
0 V Abschalt-Gate-Spannung kann angelegt werden
XT-Verbindungstechnologie für branchenweit beste thermische Leistung
Kriech- und Luftstrecke im Gehäuse> 6,1 mm
Sense-Pin für optimierte Schaltleistung