Infineon IPB60R060C7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 35 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Infineons CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Diese Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Anbieters mit erstklassiger Innovation. 600 V C7 ist die erste Technologie überhaupt mit einem RDS(on) A unter 1Ohm*mm². Das Produkt eignet sich für hartes und weiches Schalten (PFC und Hochleistungs-LLC). Das Produkt verfügt über eine erhöhte MOSFET dv/dt-Robustheit von 120 V/ns und einen verbesserten Wirkungsgrad.

Ermöglicht höhere Systemeffizienz durch geringere Schaltverluste
Höhere Leistungsdichte durch kleinere Gehäuse
Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar