onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 254-7669
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L025N065SC1
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 164nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NTH | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 164nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247-4L
Die Serie NTH von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Verwendet in der Telekommunikation mit extrem niedriger Gate-Ladung, hoher Schaltgeschwindigkeit und niedriger Kapazität
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