onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 254-7673
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL015N065SC1
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 450 - 450 | 18,114 € | 8.151,30 € |
| 900 - 900 | 17,752 € | 7.988,40 € |
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- 254-7673
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL015N065SC1
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 283nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 283nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Die Serie NTH von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Verwendet in Solar-Wechselrichtern mit hoher Anschlusstemperatur, hoher Schaltgeschwindigkeit und niedriger Kapazität
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