Infineon HEXFET Fifth Generation Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 55 V / 1.9 A 2.1 W SOT-223

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257-5817
Herst. Teile-Nr.:
IRFL014NTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

HEXFET Fifth Generation

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.16Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein HEXFET der fünften Generation von International Rectifier, der fortschrittliche Verarbeitungstechniken verwendet, um extrem niedrige Werte zu erreichen.

Planare Zellstruktur für breite SOA

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