Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 1.6 A 1 W SOT-223

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RS Best.-Nr.:
257-9393
Herst. Teile-Nr.:
IRFL4310TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

HEXFET

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17nC

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Automobilstandard

Nein

Die IRFL-Serie von Infineon ist ein 100-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem SOT-223-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

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