Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 295 A 231 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-5829
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-544
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7437TRL7PP
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
9,05 €
(ohne MwSt.)
10,77 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 784 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,525 € | 9,05 € |
| 20 - 48 | 4,11 € | 8,22 € |
| 50 - 98 | 3,845 € | 7,69 € |
| 100 - 198 | 3,57 € | 7,14 € |
| 200 + | 3,30 € | 6,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5829
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-40-544
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS7437TRL7PP
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 295A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 231W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.54mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 295A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 231W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.54mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.
Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Industriestandardgehäuse für die Oberflächenmontage
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 7-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 51 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 60 V 380 W, 7-Pin TO-263-7
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 75 V / 80 A 140 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 162 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 195 A 375 W TO-263