Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 100 A 63 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
257-9461
Herst. Teile-Nr.:
IRLR6225TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRLR-Serie ist das 20-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D-Pak-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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