Infineon IQE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 205 A, 9-Pin WHTFN

Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist ein oberflächenmontierbares Leistungsgerät, das für Hochstromschaltungen in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich für raue Umgebungen und bietet einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand für eine effiziente Stromumwandlung. Das Gerät wird in einem WHTFN-Gehäuse mit mehreren Pins geliefert, um die thermische und stromführende Handhabung in dichten Layouts zu unterstützen.

• Rds(on) von 1.35 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• 205 A Dauerstrom unterstützt schwere Stromschaltvorgänge
• Die Drain-Source-Spannung von 40 V ermöglicht den Einsatz in Systemen mit mittlerer Spannung
• Die Durchlassspannung von 1 V reduziert Verluste in Diodenleitpfaden
• Der Betrieb bei -55 °C bis +175 °C verlängert den Einsatz bei extremen Temperaturen

• Geeignet für DC/DC-Wandler in Energiemanagementsystemen
• Ideal für Hochstrom-Motorantriebsstufen in kompakten Modulen
• Wird mit Stromverteilungsarrays verwendet, die einen geringen Widerstand erfordern
• Kann für Batterieschutz und Hochstromschaltung verwendet werden

Er wird in einem WHTFN-Gehäuse geliefert, das die Oberflächenmontage erleichtert und die Wärmeableitung durch mehrere Pins unterstützt.

Das Gerät verwendet einen N-Kanal-Enhancement-Modus, der eine Low-Side-Schaltung mit geringen Gate-Drive-Anforderungen für eine effiziente Steuerung ermöglicht.

Es wird nicht angegeben, dass es den Automobilstandards entspricht, und es sollte entsprechend für den Einsatz in Fahrzeugklassen bewertet werden.