Infineon IPT Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 174 A 300 W, 16-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 260-2672
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC044N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 260-2672
- Herst. Teile-Nr.:
- IPTC044N15NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 174A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IPT | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 174A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IPT | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Pinanzahl 16 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET bietet ein Kühlgehäuse für überlegene thermische Leistung mit einem innovativen Gehäuse in Kombination mit den wichtigsten Merkmalen der Technologie, die beste Produkte in ihrer Klasse sowie einen hohen Nennstrom für Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht.
Minimierter Wärmewiderstand gegen Kühlkörper
Erhöhte Systemeffizienz für längere Batterielebensdauer
Hohe Leistungsdichte
Überlegene thermische Leistung
Einsparung im Kühlsystem
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