Vishay SIHB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 850 V / 5 A 62.5 W, 3-Pin TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
268-8295
Herst. Teile-Nr.:
SIHB6N80AE-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

850V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

SIHB

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.95Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.67mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay hat niedrige Schalt- und Leitungsverluste und wird in Anwendungen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen und Leistungsfaktorkorrekturnetzteilen eingesetzt. Sie verfügt über eine integrierte Zenerdiode für ESD-Schutz.

Niedrige effektive Kapazität

Lawinen-Nennstrom

Geringe Leistungsfähigkeit

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