Renesas Electronics N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 80 A 30 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 772-5361P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK2869L-E
- Marke:
- Renesas Electronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 95 | 1,31 € |
| 100 - 245 | 1,258 € |
| 250 - 495 | 1,23 € |
| 500 + | 1,204 € |
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- 772-5361P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK2869L-E
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- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 70 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 30 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.3mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 7.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 70 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 30 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.3mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 7.2mm | ||
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