STMicroelectronics STripFET H7 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 25 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
792-5741
Herst. Teile-Nr.:
STF25N10F7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Serie

STripFET H7

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

35 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

4.6mm

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

16.4mm

N-Kanal STripFET™ H7-Serie, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

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