Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 6,9 A 104 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
857-7040
Herst. Teile-Nr.:
IPP90R800C3XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6,9 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS C3

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

800 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

104 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.57mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

42 nC @ 10 V

Länge

10.36mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Leistungs-MOSFET Infineon CoolMOS™C3



MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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