onsemi PowerTrench N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 167 A 429 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 864-8158
- Herst. Teile-Nr.:
- FDH055N15A
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt sichern
10 weitere Einheiten hinzufügen, um 9,00 € zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
6,48 €
(ohne MwSt.)
7,71 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Begrenzter Lagerbestand
- Zusätzlich 10 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
- Zusätzlich 16 Einheit(en) mit Versand ab 16. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 6,48 € | - |
| 10 + | 5,58 € | 9,00 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 864-8158
- Herst. Teile-Nr.:
- FDH055N15A
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 167A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 92nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 429W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.25V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 20.82mm | |
| Breite | 15.87mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.82mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 167A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 92nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 429W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.25V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 20.82mm | ||
Breite 15.87mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.82mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-247
- onsemi Einfach PowerTrench N-Kanal 1 3-Pin TO-247
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal 3-Pin TO-252
- Infineon CoolSiC N-Kanal 4-Pin PG-TO-247-4-STD-NT6.7
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-263
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench N-Kanal 3-Pin TO-263