Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 600 V / 21 mA 500 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
911-4971
Herst. Teile-Nr.:
BSS126H6327XTSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

SIPMOS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

500mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Länge

2.9mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
DE

N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®


MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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