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    Infineon HEXFET AUIRF3205Z N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 110 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

    Nicht mehr im Sortiment
    RS Best.-Nr.:
    912-8586
    Herst. Teile-Nr.:
    AUIRF3205Z
    Marke:
    Infineon

    Ursprungsland:
    MX
    Eigenschaft
    Wert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.110 A
    Drain-Source-Spannung max.55 V
    GehäusegrößeTO-220AB
    SerieHEXFET
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Drain-Source-Widerstand max.6,5 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2V
    Verlustleistung max.170 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Breite4.83mm
    Transistor-WerkstoffSi
    Betriebstemperatur max.+175 °C
    Länge10.67mm
    Gate-Ladung typ. @ Vgs76 nC @ 10 V
    Höhe16.51mm
    Betriebstemperatur min.–55 °C

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