Infineon LogicFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 130 A 200 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 919-4943
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL1004PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 919-4943
- Herst. Teile-Nr.:
- IRL1004PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 130A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | LogicFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.54mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 8.77mm | |
| Breite | 4.69 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 130A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie LogicFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.54mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 8.77mm | ||
Breite 4.69 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon LogicFET Serie MOSFET, 130A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 200W maximale Verlustleistung - IRL1004PBF
Dieser Hochleistungs-MOSFET verwendet Si-Technologie und ist für effizientes Power-Management in einer Vielzahl von elektronischen Anwendungen konzipiert. Die N-Kanal-Struktur im Anreicherungsmodus gewährleistet einen effektiven Betrieb und eignet sich daher für moderne Automatisierungs- und Elektrosysteme, insbesondere für Schaltungen mit hoher Leistung.
Eigenschaften und Vorteile
• Kontinuierliche Stromaufnahmekapazität von bis zu 130 A
• Maximale Drain-Source-Spannung von 40 V für robuste Leistung
• Niedriger Rds(on) von 7mΩ zur Verringerung der Wärmeentwicklung
• Hohe thermische Stabilität mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C
• Kompaktes TO-220AB-Gehäuse ermöglicht vielseitige Montageoptionen
Anwendungsbereich
• Hocheffiziente Stromversorgungsschaltungen
• Automobile und industrielle Automatisierungssysteme
• Energiemanagement und Energieumwandlungssysteme
Wie trägt der Rds(on) zur Effizienz des Geräts bei?
Ein niedriger Rds(on) von 7mΩ minimiert die Leistungsverluste während des Betriebs, wodurch die Wärmeentwicklung reduziert und die Gesamteffizienz bei Leistungsanwendungen verbessert wird.
Welche Bedeutung hat der Betriebstemperaturbereich?
Das Gerät kann in einem weiten Temperaturbereich von -55°C bis +175°C betrieben werden, wodurch eine zuverlässige Leistung unter verschiedenen Umgebungsbedingungen gewährleistet und das Risiko eines thermischen Ausfalls minimiert wird.
Kann es für Hochfrequenz-Schaltanwendungen verwendet werden?
Ja, er ist für schnelle Schaltvorgänge ausgelegt und eignet sich daher für Hochfrequenzvorgänge, was die Leistung in Kommunikations- und Steuersystemen verbessert.
Welche Überlegungen sollten bei der Installation angestellt werden?
Verwenden Sie geeignete Wärmemanagementtechniken, z. B. einen geeigneten Kühlkörper, da Hochleistungsgeräte eine wirksame Wärmeableitung benötigen, um ihre Funktionalität und Zuverlässigkeit zu erhalten.
Was passiert, wenn die Gate-Source-Spannung den maximalen Nennwert überschreitet?
Ein Überschreiten der maximalen Gate-Source-Spannung kann zu einem Ausfall des Geräts führen. Daher ist es wichtig, die angegebenen Grenzwerte einzuhalten, um eine lange Lebensdauer zu gewährleisten und Schäden zu vermeiden.
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