Infineon HEXFET IRFU5305PBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

RS Best.-Nr.:: 919-5021
Herst. Teile-Nr.:: IRFU5305PBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFU5305PBF P-Kanal, THT MOSFET 55 V / 31 A 110 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

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RS Best.-Nr.:: 919-5021
Herst. Teile-Nr.:: IRFU5305PBF
Marke:: Infineon

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Ursprungsland:: MX

Produktdetails

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 40 V bis 55 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst P-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	31 A
Drain-Source-Spannung max.	55 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	IPAK (TO-251)
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	65 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Gate-Schwellenspannung min.	2V
Verlustleistung max.	110 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	2.3mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	63 nC @ 10 V
Länge	6.6mm
Betriebstemperatur max.	+175 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	6.1mm