Winbond DDR2 SDRAM-Speicher 256MBit 16 M x 16 bit DDR2 800MHz 16M Bits/Wort WBGA 84-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 171-2246P
- Herst. Teile-Nr.:
- W9725G6KB-25/TRAY
- Marke:
- Winbond
Nicht verfügbar
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- Herst. Teile-Nr.:
- W9725G6KB-25/TRAY
- Marke:
- Winbond
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Winbond | |
| Speicher Größe | 256MBit | |
| SDRAM-Klasse | DDR2 | |
| Organisation | 16 M x 16 bit | |
| Datenumfang | 800MHz | |
| Datenbus-Breite | 16bit | |
| Adressbusbreite | 16bit | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 16M | |
| Anzahl der Wörter | 16M | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | WBGA | |
| Pinanzahl | 84 | |
| Abmessungen | 8.1 x 12.6 x 0.8mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 1,9 V | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Arbeitsspannnung min. | 1,7 V | |
| Betriebstemperatur min. | 0 °C | |
| Breite | 12.6mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Winbond | ||
Speicher Größe 256MBit | ||
SDRAM-Klasse DDR2 | ||
Organisation 16 M x 16 bit | ||
Datenumfang 800MHz | ||
Datenbus-Breite 16bit | ||
Adressbusbreite 16bit | ||
Anzahl der Bits pro Wort 16M | ||
Anzahl der Wörter 16M | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße WBGA | ||
Pinanzahl 84 | ||
Abmessungen 8.1 x 12.6 x 0.8mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Arbeitsspannnung max. 1,9 V | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Arbeitsspannnung min. 1,7 V | ||
Betriebstemperatur min. 0 °C | ||
Breite 12.6mm | ||
Der W9725G6KB ist ein 256 MB DDR2 SDRAM mit Geschwindigkeiten von -18, -25, 25I und -3
Doppelte Datenraten-Architektur: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7
Burst-Länge: 4 und 8
Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen
Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten
DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten
Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität
Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts
Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7
Burst-Länge: 4 und 8
Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen
Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten
DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten
Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität
Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts
Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
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