Winbond SDRAM 2Gbit 256 M x 8 Bit DDR2 800MHz 8bit Bits/Wort 0.4ns WBGA 84-Pin, 1,7 V bis 1,9 V

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RS Best.-Nr.:
188-2835
Herst. Teile-Nr.:
W972GG6KB25I
Marke:
Winbond
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Marke

Winbond

Speicher Größe

2Gbit

Organisation

256 M x 8 Bit

SDRAM-Klasse

DDR2

Datenumfang

800MHz

Datenbus-Breite

16bit

Adressbusbreite

17bit

Anzahl der Bits pro Wort

8bit

Zugriffszeit max.

0.4ns

Anzahl der Wörter

256M

Montage-Typ

SMD

Gehäusegröße

WBGA

Pinanzahl

84

Abmessungen

12.6 x 8.1 x 0.6mm

Höhe

0.6mm

Länge

12.6mm

Betriebstemperatur max.

+95 °C

Arbeitsspannnung max.

1,9 V

Arbeitsspannnung min.

1,7 V

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Breite

8.1mm

Der W972GG6KB ist ein 2-G-Bit-DDR2-SDRAM mit einer Geschwindigkeit von -18, -25/25I und -3/-3I.

Doppelte Datenraten-Architektur: zwei Datenübertragungen pro Taktzyklus
CAS-Latenz: 3, 4, 5, 6 und 7
Burst-Länge: 4 und 8
Bidirektional, Differenzial-Datenvalidierungen (DQS und /DQS) werden mit Daten übertragen/empfangen
Flanken-ausgerichtet beim Lesen von Daten und Mitte-ausgerichtet beim Schreiben von Daten
DLL richtet DQ- und DQS-Übergänge auf den Takt aus
Differenzialtakteingänge (CLK und /CLK)
Datenmasken (DM) für das Schreiben von Daten
Befehle, die an jeder positiven CLK-Kante, an Daten- und Datenmaske eingegeben werden, beziehen sich auf beide Kanten von /DQS
Programmierbare additive Latenz /CAS unterstützt, um die Effizienz von Befehlen und Datenbus zu steigern
Leselatenz = Additive Latenz plus CAS-Latenz (RL = AL + CL)
Off-Chip-Impedanzeinstellung des Treibers (OCD) und On-Die-Abschluss (ODT) für bessere Signalqualität
Auto-Precharge-Betrieb zum Lesen und Schreiben von Bursts
Auto-Refresh- und Self-Refresh-Modi
Precharged Abschaltung und aktive Abschaltung
Datenmaske schreiben
Schreiblatenz = Leselatenz - 1 (WL = RL - 1)
Schnittstelle: SSTL_18

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