TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 nH 800mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 7.7GHz

RS Best.-Nr.:: 109-4987
Herst. Teile-Nr.:: MHQ1005P4N7ST000
Marke:: TDK

TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 nH 800mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 7.7GHz

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Herst. Teile-Nr.:: MHQ1005P4N7ST000
Marke:: TDK

MHQ1005P Datasheet_EN

Eigenschaft	Wert
Induktivität	4,7 nH
Gleichstrom max.	800mA
Gehäuse-Form	0402 (1005M)
Länge	1mm
Tiefe	0.5mm
Höhe	0.5mm
Abmessungen	1 x 0.5 x 0.5mm
Toleranz	±0.3nH
Gleichstromwiderstand max.	110mΩ
Serie	MHQ1005P
Kernmaterial	Keramik
Resonanzfrequenz max.	7.7GHz
Betriebstemperatur max.	+125°C
Qualitätsfaktor min.	23
Betriebstemperatur min.	-55°C
Induktivitätsbauweise	Mehrlagig

TDK MHQ1005P SMD-Mehrschicht-Induktivität, 4,7 nH 800mA mit Keramik-Kern, 0402 (1005M) Gehäuse 1mm / ±0.3nH, 7.7GHz

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Hochfrequenzinduktivitäten – Serie MHQ1005P

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