Samsung Electro-Mechanics SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 nH 15mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%,

RS Best.-Nr.:: 172-8779
Herst. Teile-Nr.:: CIL21Y6R8KNE
Marke:: Samsung Electro-Mechanics

Samsung Electro-Mechanics SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 nH 15mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%,

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RS Best.-Nr.:: 172-8779
Herst. Teile-Nr.:: CIL21Y6R8KNE
Marke:: Samsung Electro-Mechanics

CIL Series General Chip Inductor Data Sheet

Eigenschaft	Wert
Induktivität	6,8 nH
Gleichstrom max.	15mA
Gehäuse-Form	0805 (2012M)
Länge	2mm
Tiefe	1.25mm
Höhe	1.25mm
Abmessungen	2 x 1.25 x 1.25mm
Toleranz	±10%
Gleichstromwiderstand max.	600mΩ
Kernmaterial	Ferrit
Resonanzfrequenz max.	29MHz
Betriebstemperatur max.	+85°C
Betriebstemperatur min.	-40°C
Qualitätsfaktor min.	50
Induktivitätsbauweise	Mehrlagig

Samsung Electro-Mechanics SMD-Mehrschicht-Induktivität, 6,8 nH 15mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%,

Samsung 0805 CIL-Serie - universale CIL21-SMD-Induktivitäten

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