Infineon 4MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 512k 1MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, SOIC 32-Pin

Die Kleinleistungs-SRAM-Speichergeräte MoBL besitzen eine hohe Effizienz und bieten eine branchenweit führende (maximale) Verlustleistung im Standby.

Sehr hohe Geschwindigkeit: 45 ns
Spannungsbereich: 4,5 V bis 5,5 V.
PIN kompatibel mit CY62148B.
Extrem niedrige Standby-Leistung
Typischer Standby-Strom: 1 μA
Maximaler Standby-Strom: 7 μA (Industrie)
Extrem niedrige Wirkleistung
Typischer Wirkstrom: 2,0 mA bei f = 1 MHz
Einfache Speichererweiterung mit CE- und OE-Funktionen
Automatische Abschaltung bei Deaktivierung
Komplementärer Metalloxid-Halbleiter (CMOS) für optimale Geschwindigkeit und Leistung
Erhältlich in Pb-freien 32-poligen dünnen Small Outline Package (TSOP) II- und 32-poligen Small Outline Integrated Circuit (SOIC)[1]-Gehäusen

SRAM (Static Random Access Memory)