Infineon FRAM-Speicher 4kbit, 512 x 8 10ns I2C SMD SOIC 8-Pin 4,5 V bis 5,5 V
- RS Best.-Nr.:
- 215-5779P
- Herst. Teile-Nr.:
- FM24C04B-GTR
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Speicher Größe | 4kbit | |
| Organisation | 512 x 8 | |
| Interface-Typ | I2C | |
| Datenbus-Breite | 8bit | |
| Zugriffszeit max. | 10ns | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abmessungen | 4.97 x 3.98 x 1.48mm | |
| Länge | 4.97mm | |
| Arbeitsspannnung max. | 5,5 V | |
| Breite | 3.98mm | |
| Höhe | 1.48mm | |
| Betriebstemperatur max. | +85 °C | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Arbeitsspannnung min. | 4,5 V | |
| Anzahl der Wörter | 512 | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Anzahl der Bits pro Wort | 8bit | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Speicher Größe 4kbit | ||
Organisation 512 x 8 | ||
Interface-Typ I2C | ||
Datenbus-Breite 8bit | ||
Zugriffszeit max. 10ns | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abmessungen 4.97 x 3.98 x 1.48mm | ||
Länge 4.97mm | ||
Arbeitsspannnung max. 5,5 V | ||
Breite 3.98mm | ||
Höhe 1.48mm | ||
Betriebstemperatur max. +85 °C | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Arbeitsspannnung min. 4,5 V | ||
Anzahl der Wörter 512 | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Anzahl der Bits pro Wort 8bit | ||
Der Cypress Semiconductor FM24C04B ist ein nicht flüchtiger 4-Kbit-Speicher mit einem Advanced ferroelektrischen Prozess. Ein ferroelektrischer Random Access Memory oder F-RAM ist nicht flüchtig und führt Lese- und Schreibvorgänge ähnlich wie ein RAM aus. Sie bietet eine zuverlässige Datenspeicherung für 151 Jahre und beseitigt gleichzeitig die Komplexität, den Overhead und die Systemzuverlässigkeitsprobleme, die durch EEPROM und andere nicht flüchtige Speicher verursacht werden.
4-Kbit-ferroelektrischer Random Access Memory (F-RAM), logisch organisiert als 512 x 8
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
Advanced hochzuverlässiger ferroelektrischer Prozess
Langlebige Lese-/Schreibvorgänge von 100 Trillion (1014)
151 Jahre Datenspeicherung
NODELAY ® schreibt
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