STMicroelectronics IGBT / 84 A ±20V max. , 650 V 441 W, 7-Pin HU3PAK

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RS Best.-Nr.:
285-637
Herst. Teile-Nr.:
STGHU30M65DF2AG
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

84 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

441 W

Konfiguration

Zweifach-Gate

Gehäusegröße

HU3PAK

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Dieser STMicroelectronics-Baustein ist ein IGBT, der mit einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldstop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind. Außerdem führen der positive Temperaturkoeffizient VCE(sat) und die enge Parameterverteilung zu einem sichereren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175 °C
6 μs Mindestkurzschlussfestigkeit
Enge Parameterverteilung
Sichere Parallelisierung
Niedriger Wärmewiderstand
Weiche und sehr schnell erholsame antiparallele Diode
Hervorragende Schaltleistung dank des zusätzlichen treibenden Kelvin-Stifts

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