Infineon IGBT / 600 A ±20V max. 6-fach, 750 V 1 kW N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 349-029
- Herst. Teile-Nr.:
- FS1150R08A8P3LMCHPSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 600 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 750 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Verlustleistung max. | 1 kW | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Channel-Typ | N | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 600 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 750 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Verlustleistung max. 1 kW | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Channel-Typ N | ||
- Ursprungsland:
- DE
Das Infineon HybridPACK Drive G2 Modul ist ein hochkompaktes Sixpack Powermodul mit verbessertem Gehäuse, das für Hybrid- und Elektrofahrzeuge optimiert ist. Das Powermodul implementiert Infineons Chiptechnologie der nächsten Generation EDT3 750V, die für Anwendungen im elektrischen Antriebsstrang von mittleren bis hohen Leistungsklassen im Automobilbereich optimiert ist.
Induktionsarme Konstruktion
4,2 kV DC 1 Sekunde Isolierung
Hohe Kriech- und Luftstrecken
Direkt gekühlte PinFin-Grundplatte
Richtlinien für die Montage von Leiterplatten und Kühlern
PressFIT-Kontakttechnik
4,2 kV DC 1 Sekunde Isolierung
Hohe Kriech- und Luftstrecken
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