Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 4 A, 600 V 6.8 W PG-SOT223

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RS Best.-Nr.:
240-8531
Herst. Teile-Nr.:
IKN04N60RC2ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

4A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

6.8W

Gehäusegröße

PG-SOT223

Schaltgeschwindigkeit

20kHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.3V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Automobilstandard

Nein

Der Infineon RC Drives 2 600 V, 1 A IGBT Discrete in PG-SOT-223-Gehäuse. Der RC-D2 mit der monolithisch integrierten Diode bietet Verbesserungen bei Leistung, Steuerbarkeit und Zuverlässigkeit im Vergleich zum RC-DF. Er bietet geringe Schaltverluste zu einem konkurrenzfähigen Preis und ist so geeignet für die Entwicklung von Produkten – Drop-in-SMD-Ersatz in DPAK und SOT-223 mit hoher Systemzuverlässigkeit.

Verbesserte Steuerbarkeit

Betriebsbereich von 1 bis 20 kHz

Feuchtigkeitsbeständiges Design

Maximale Verbindungstemperatur von 150° C

Kurzschlusskapazität von 3 μs

Sehr enge Parameterverteilung

Bleifreie Leiterbeschichtung, RoHS-konform

Vollständiges Produktspektrum und SPICE-Modelle

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