Nexperia PSM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 405 W, 4-Pin LFPAK
- RS Best.-Nr.:
- 219-347
- Herst. Teile-Nr.:
- PSMN3R7-100BSEJ
- Marke:
- Nexperia
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- PSMN3R7-100BSEJ
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | 25°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 405W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 176nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. 25°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 405W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 176nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) und eine verbesserte Leistung im sicheren Betriebsbereich. Er ist für Hot-Swap-Controller optimiert und ist in der Lage, hohen Einschaltströmen standzuhalten und I2R-Verluste für eine verbesserte Effizienz zu minimieren. Zu den Anwendungen gehören Heißaustausch, Lastumschaltung, Sanftanlauf und E-Sicherung.
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