Nexperia PSM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 405 W, 4-Pin PSMN3R7-100BSEJ LFPAK

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RS Best.-Nr.:
219-348
Herst. Teile-Nr.:
PSMN3R7-100BSEJ
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

LFPAK

Serie

PSM

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

25°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

405W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

176nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der N-Kanal-MOSFET von Nexperia verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) und eine verbesserte Leistung im sicheren Betriebsbereich. Er ist für Hot-Swap-Controller optimiert und ist in der Lage, hohen Einschaltströmen standzuhalten und I2R-Verluste für eine verbesserte Effizienz zu minimieren. Zu den Anwendungen gehören Heißaustausch, Lastumschaltung, Sanftanlauf und E-Sicherung.

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