Infineon 650V CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 85 A, 22-Pin PG-HDSOP-22

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-871
Herst. Teile-Nr.:
IPDQ65R029CFD7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

85 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

PG-HDSOP-22

Serie

650V CoolMOS

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

22

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET wurde entwickelt, um die hohen Anforderungen von Schaltanwendungen mit hohem Wirkungsgrad zu erfüllen. Er enthält die Spitzentechnologie der coolmos CFD7-Serie, die eine überragende Leistung in verschiedenen Szenarien ermöglicht, einschließlich resonanter und phasenverschobener Vollbrückentopologien. Mit einer Durchbruchspannung von 650 V optimiert dieser Baustein den Wirkungsgrad und das Wärmemanagement und eignet sich damit für moderne Stromversorgungssysteme. Die schnelle Body-Dioden-Technologie sorgt für einen robusten Betrieb und gewährleistet, dass hohe transiente Lasten problemlos bewältigt werden können. Ob in Serveranwendungen, Telekommunikationssystemen oder Lösungen für erneuerbare Energien wie EV-Ladestationen und Solarenergie, dieser MOSFET ist eine ausgezeichnete Wahl für Hersteller, die ihr Produktangebot erweitern möchten.

Die ultraschnelle Body-Diode gewährleistet eine schnelle Reaktion
Niedriger Wärmewiderstand optimiert die Wärmeableitung
Erhöhte Robustheit gewährleistet zuverlässigen Betrieb
Verbesserte Schaltleistung steigert die Effizienz
Maßgeschneidert für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte
Umfassende JEDEC-Qualifizierung sichert Qualität

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