Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-3003
Herst. Teile-Nr.:
SI4900DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4,3 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

58 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Länge

5mm

Breite

4mm

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.55mm

Ursprungsland:
TW

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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