Teile-Nr.

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-3003
Herst. Teile-Nr.:: SI4900DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 165-3003
Herst. Teile-Nr.:: SI4900DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	4,3 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Gehäusegröße	SOIC
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	58 mΩ
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min.	1V
	Verlustleistung max.	2 W
	Transistor-Konfiguration	Isoliert
	Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
	Breite	4mm
	Anzahl der Elemente pro Chip	2
	Betriebstemperatur max.	+150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC @ 10 V
	Transistor-Werkstoff	Si
	Länge	5mm
	Höhe	1.55mm
	Betriebstemperatur min.	–55 °C

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 4,3 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Gehäusegröße SOIC
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 58 mΩ
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung min. 1V
	Verlustleistung max. 2 W
	Transistor-Konfiguration Isoliert
	Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
	Breite 4mm
	Anzahl der Elemente pro Chip 2
	Betriebstemperatur max. +150 °C
	Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V
	Transistor-Werkstoff Si
	Länge 5mm
	Höhe 1.55mm
	Betriebstemperatur min. –55 °C

Ursprungsland:: TW

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

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