Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 165-3003
Herst. Teile-Nr.:: SI4900DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:: 165-3003
Herst. Teile-Nr.:: SI4900DY-T1-GE3
Marke:: Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A N
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	4,3 A
Drain-Source-Spannung max.	60 V
Gehäusegröße	SOIC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	58 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.	1V
Verlustleistung max.	2 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	4mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Länge	5mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	13 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Höhe	1.55mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4,3 A 2 W, 8-Pin SOIC

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor

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