Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 710-3364
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4900DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
9,09 €
(ohne MwSt.)
10,82 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,909 € | 9,09 € |
| 100 - 240 | 0,892 € | 8,92 € |
| 250 - 490 | 0,728 € | 7,28 € |
| 500 - 990 | 0,71 € | 7,10 € |
| 1000 + | 0,572 € | 5,72 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 710-3364
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4900DY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4.3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 58 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2000 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4.3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 58 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2000 mW | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.55mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Verwandte Links
- Vishay N-Kanal Dual3 A 2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay N-Kanal Dual5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay N-Kanal Dual 74 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5 F.
- Vishay N/P-Kanal-Kanal Dual 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal Dual 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay Si2323DDS Typ P-Kanal 3-Pin SOT-23
- Vishay N-Kanal 3-Pin SC-75
- Vishay N-Kanal 3-Pin SOT-323