Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 4.3 A 2000 mW, 8-Pin SOIC

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
710-3364
Herst. Teile-Nr.:
SI4900DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

4.3 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

58 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2000 mW

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Gate-Ladung typ. @ Vgs

13 nC @ 10 V

Höhe

1.55mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Zweifach-N-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor



MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor

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