onsemi Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 0.3 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 166-1651
- Herst. Teile-Nr.:
- FDG6332C
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 20 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 700 mA | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 0.3 W | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Gehäusegröße | US | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | -0.77 V | |
| Höhe | 1 mm | |
| Länge | 2 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 700 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -12 V, +12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 1.4 nC | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N, Typ P, Typ P | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 20 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 700 mA | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 0.3 W | ||
Pinanzahl 6 | ||
Gehäusegröße US | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) -0.77 V | ||
Höhe 1 mm | ||
Länge 2 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 700 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -12 V, +12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 1.4 nC | ||
Breite 1.25 mm | ||
Automotive Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor provides solutions that solve complex challenges in the automotive market with a thorough command of quality, safety, and reliability standards.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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