onsemi Isoliert Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 700 mA 0.3 W, 6-Pin US

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RS Best.-Nr.:
166-1651
Herst. Teile-Nr.:
FDG6332C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N, Typ P, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

700mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

700mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.3W

Durchlassspannung Vf

-0.77V

Gate-Source-spannung max Vgs

-12V, +12V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.25mm

Höhe

1mm

Länge

2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Kfz-Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


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MOSFET-Transistoren, ON Semi


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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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