onsemi PowerTrench, SyncFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6,9 A; 8,2 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-2446
Herst. Teile-Nr.:
FDS6900AS
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6,9 A; 8,2 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

PowerTrench, SyncFET

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

22 mΩ, 27 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Serie

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 10 V, 11 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Länge

5mm

Breite

3.99mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
MY

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