onsemi PowerTrench, SyncFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6,9 A; 8,2 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 166-2446
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6900AS
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,9 A; 8,2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | PowerTrench, SyncFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 22 mΩ, 27 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V | |
| Verlustleistung max. | 2 W | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 10 nC @ 10 V, 11 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 3.99mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,9 A; 8,2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie PowerTrench, SyncFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 22 mΩ, 27 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1V | ||
Verlustleistung max. 2 W | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 10 nC @ 10 V, 11 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 5mm | ||
Breite 3.99mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
- Ursprungsland:
- MY
Zweifach-MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor
Entwickelt zur Minimierung des Verlusts bei der Leistungsumwandlung bei gleichzeitiger Beibehaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung.
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)
SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.
Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)
SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.
Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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