onsemi PowerTrench, SyncFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6,9 A; 8,2 A 2 W, 8-Pin SOIC

Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
RS Best.-Nr.:
166-2446
Herst. Teile-Nr.:
FDS6900AS
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

6,9 A; 8,2 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

PowerTrench, SyncFET

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

22 mΩ, 27 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Serie

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 10 V, 11 nC @ 10 V

Breite

3.99mm

Länge

5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.5mm

Ursprungsland:
MY

Zweifach-MOSFET PowerTrench® SyncFET™, Fairchild Semiconductor


Entwickelt zur Minimierung des Verlusts bei der Leistungsumwandlung bei gleichzeitiger Beibehaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung.
Trench-Hochleistungstechnologie für extrem niedrigen RDS(ein)
SyncFET™ profitiert von einer effizienten Diode mit Schottky-Gehäuse.
Anwendungen: Synchrone DC/DC-Gleichrichtungskonverter, Motorantriebe, Point-of-Load-Netzwerkschalter für Niederspannungsseite


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links