onsemi MegaFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 16 A 60 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
166-2656
Herst. Teile-Nr.:
RFD16N05LSM9A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

MegaFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

47mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

60W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

MOSFET MegaFET, Fairchild Semiconductor


Der MegaFET-Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die an integrierte LSI-Schaltkreise heranreichen, sorgt für die optimale Nutzung von Silizium, was zu einer hervorragenden Leistung führt.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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