STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
168-7458
Herst. Teile-Nr.:
STB24NM60N
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

MDmesh

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

190mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

4.6mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

10.4 mm

Länge

10.75mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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