Nexperia PMV16XN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 8.6 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
170-4851
Herst. Teile-Nr.:
PMV16XNR
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

PMV16XN

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

6.94W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Höhe

1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Schaltlösungen für Ihre tragbaren Designs. Wählen Sie aus einer Vielzahl von Einfach- und Zweifach-N-Kanal-MOSFETs bis zu 20 V. Großartige Zuverlässigkeit aufgrund unserer bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere Niederspannungs-MOSFETs sind einfach zu verwenden und wurden eigens entwickelt, um die Anforderungen mobiler Anwendungen mit niedrigen Treiberspannungen zu erfüllen.

N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie

Niedrige Schwellenspannung

Sehr schnelle Schaltung

Verbessertes Verlustleistungsvermögen von 1200 mW

Anwendungsbereiche

LED-Treiber

Ausschalten

Low-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

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