Nexperia PMV20XNE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23

RS Best.-Nr.:: 170-4865
Herst. Teile-Nr.:: PMV20XNER
Marke:: Nexperia

Nexperia PMV20XNE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:: 170-4865
Herst. Teile-Nr.:: PMV20XNER
Marke:: Nexperia

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Nexperia
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	7.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	PMV20XNE
	Gehäusegröße	SOT-23
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	38mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	12 V
	Maximale Verlustleistung Pd	6.94W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	12.4nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3mm
	Breite	1.4 mm
	Höhe	1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Nexperia
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie PMV20XNE
	Gehäusegröße SOT-23
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 12 V
	Maximale Verlustleistung Pd 6.94W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3mm
	Breite 1.4 mm
	Höhe 1mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Flipflops sind einfache Speicherelemente in der digitalen Elektronik. Flipflops ermöglichen eine Änderung des Ausgangs bei einem Flankenwechsel und bieten eine robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Mit einer Auswahl von Optionen mit Auslösung an der positiven oder der negativen Flanke sorgen sie für zusätzliche Entwurfsflexibilität.

N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie

Niedrige Schwellenspannung

Verbessertes Verlustleistungsvermögen von 1200 mW

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBM

Anwendungsbereiche

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

Low-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

Nexperia PMV20XNE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23

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