Nexperia PMV20XNE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 6.94 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 170-4865
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV20XNER
- Marke:
- Nexperia
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 170-4865
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV20XNER
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | PMV20XNE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 38mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.94W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie PMV20XNE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 38mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.94W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Flipflops sind einfache Speicherelemente in der digitalen Elektronik. Flipflops ermöglichen eine Änderung des Ausgangs bei einem Flankenwechsel und bieten eine robuste Verbindung zwischen asynchronen und synchronen Systemen. Mit einer Auswahl von Optionen mit Auslösung an der positiven oder der negativen Flanke sorgen sie für zusätzliche Entwurfsflexibilität.
N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Niedrige Schwellenspannung
Verbessertes Verlustleistungsvermögen von 1200 mW
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): 2 kV HBM
Anwendungsbereiche
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
Low-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen