Vishay Einfach Typ P-Kanal 1, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung / 1 A 1.3 W, 4-Pin HVMDIP

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RS Best.-Nr.:
178-0917
Herst. Teile-Nr.:
IRFD9120PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Transistor-Konfiguration

Einfach

Kabelkanaltyp

Typ P

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Durchsteckmontage

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

1 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

1.3 W

Pinanzahl

4

Gehäusegröße

HVMDIP

Höhe

3.37 mm

Länge

5 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

600 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V, -20 V

Maximale Betriebstemperatur

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Breite

6.29 mm

The Vishay third generation power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1" pin centres.

Dynamic dV/dt rating

Repetitive avalanche rated

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