Vishay SiP32431 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 5.5 V / 1.2 A 250 mW, 6-Pin SC-70

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

720,00 €

(ohne MwSt.)

870,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,24 €720,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
180-7353
Herst. Teile-Nr.:
SIP32431DR3-T1GE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

5.5V

Serie

SiP32431

Gehäusegröße

SC-70

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

147mΩ

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

250mW

Maximale Betriebstemperatur

85°C

Höhe

1.1mm

Länge

2.15mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.2 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

Vishay Lastschalter


Der Vishay TDFN4 P-Kanal-Anstiegsgeschwindigkeitsschalter ist ein neues Produkt mit extrem niedriger Leckstrom-, Ruhestrom- und Anstiegsgeschwindigkeitssteuerung und Sperrfunktion. Er hat eine Verlustleistung von 250 mW und einen Abflussquellwiderstand von 147 mohm. Er hat einen Ausgangsstrom von 1,2 A. Der Lastschalter verfügt über einen niedrigen Eingangslogikpegel zur Verbindung mit niedriger Steuerspannung von Mikroprozessoren. Der Lastschalter folgt der Steuerung mit hoher Logikfreigabe. Die kompakten Gehäuseoptionen, der Betriebsspannungsbereich und der niedrige Betriebsstrom machen es zu einer guten Wahl für Batterie- und Stromversorgungsanwendungen.

Eigenschaften und Vorteile


• Eingangsspannungsbereich: 1,5 V bis 5,5 V

• Niedriger Einschaltwiderstand RDS (ein)

• Keine Vorspannungs-Stromschiene erforderlich

• Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 85 °C.

• Sperrfunktion für Rückwärtsbetrieb

• Anstiegsgeschwindigkeitsgesteuerte Einschaltzeit: 100 μs

• extrem niedriger Leckstrom und Ruhestrom: - VIN-Ruhestrom = 0,01 nA - VIN-Abschaltleckstrom = 0,20 nA

Anwendungen


• Batterie betriebene Geräte

• Internet der Dinge

• Tragbare Instrumente

• Tragbare medizinische Geräte

• Sicherheitssysteme

• Intelligente Zähler

• Wearable

• Drahtloses Sensornetzwerk

Zertifizierungen


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

Verwandte Links